Les dispositifs TCMs sont réalises au GMV et les divers
résultats obtenus sont présentés. Cette
étude a commencé par l'optimisation du procédé
de dépôt de la couche d'oxyde de silicium par
PECVD utilise comme grille des transistors. Les résultats
obtenus n'étant pas suffisants pour une application
aux TCMs, une nouvelle chambre de dépôt est projetée.
La mise au point des étapes technologiques pour la
réalisation de circuits CMOS a constitue la suite du
travail.
