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Em Março de 1996, inicia suas atividades na área
de: engenharia microeletrônica, junto ao LSI
(Laboratório de Sistemas Integráveis) na Escola
Ploitécnica da Universidade de São Paulo - EPUSP.
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| Já
em outubro de 1996 e até 17 de janeiro de 1998, com
apoio do CNPq, realizou um trabalho de mestrado, cuja
dissertação intitula-se: Caracterização
Elétrica de Filmes Finos de Óxido de Silício
Depositados por PE-TEOS". |
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Em
agosto de 1998, teve seu projeto de doutoramento aprovado
pela FAPESP, o qual intitula-se: Estudo e Desenvolvimento
de uma Tecnologia CMOS-TFT à Baixa Temperatura. |
| Em
agosto de 2000, inicioui-se um estágio com duração
prevista de um ano, para a complementação das
atividades do doutoramento, junto ao GMV (Grupo de
Microeletrônica e Viasualização) na Universidade
de Rennes I - França, com o apoio financeiro da
CAPES/COFECUB. |
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Em breve: versão em inglês.
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