PSI 2223 – Introdução à Eletrônica

PSI/EPUSP – Prof. Dr. Antonio C. Seabra – Sala A1-46 – Tel. 11 3091 5660 – acseabra@lsi.usp.br
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1° Semestre de 2012

o        Calendário do Curso de PSI 2223 (2011)

o        Livro Texto: Sedra, A.S. and Smith, K.C. Microeletrônica. Pearson Prentice Hall, 5a. edição

o        Material das Aulas

o              Para a Prova 1:

§         Aula 1     (2012): Introdução, características do diodo ideal, características do diodo real. (Cap3 p. 89-96)

§         Aula 2     (2012): Características do diodo real, equação de corrente do diodo, exercícios, Referência ao experimento 3, Dispositivos Ativos, de Práticas I (PSI2211) (Cap3 p. 89-96)

§         Aula 3     (2012): Análise gráfica (reta de carga), modelos simplificados de diodos, exercícios  (Cap. 3 p. 96-99)

§         Aula 4     (2012): Modelo para pequenos sinais, modelos de circuitos equivalentes para pequenas variações (próximas do ponto quiescente), exercícios (exemplos 3.6 e 3.7). (Cap. 3 p. 100-103)

§         Aula 5     (2012): Operação na região de ruptura reversa, diodo zener, Projeto de um regulador Zener, exercícios (exemplo 3.8) (Cap. 3 p. 104-106)

§         Aula 6     (2012): Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação c.c., circuito retificador de meia onda, circuito retificador de onda completa com enrolamento secundário com tomada central,  exercícios: 3.22.  Circuito retificador em ponte Circuito retificador de meia onda com o capacitor  de filtro. (Cap. 3 p. 106-111)

§         Aula 7     (2012)    video    Exemplo3.8 : Retificador de onda completa com capacitor de filtro, superdiodo. Exercícios (exemplo 3.9). Circuitos limitadores, circuitos grampeadores, dobrador de tensão, exercícios: 3.27, 3.28.  (Cap. 3 p. 112-118)

§         Aula 8: Aula de Exercícios e 1a Prova

§         Para a Prova 2:

§         Aulas Bloco 2 (2ª prova): 9 a 16

§         Aula 9: Conceitos básicos de dispositivos semicondutores: silício dopado, mecanismos de condução (difusão e deriva), exercícios. (Cap. 3 p. 117-121)

§         Aula 10: Modelos de cargas, junção pn na condição de circuito aberto, potencial interno da junção, junção pn polarizada, exercícios.      C3 p. 121-126

§         Aula 11: Distribuição de portadores minoritários na junção pn diretamente polarizada. Dedução elementar da equação de corrente na junção pn, exercícios.                            C3 p. 127-128

§         Aula 12: Capacitância de difusão, largura da região de depleção da junção pn polarizada, capacitância de depleção, a junção pn na região de ruptura (efeito zener e efeito avalanche), exercícios.     C3 p. 124-125 e p. 128-129

§         Aula 13: Estruturas e símbolos dos transistores bipolares de junção, definição dos modos de operação (corte, ativo, saturação) do TBJ, operação do transistor npn no modo ativo (polarização e distribuição de portadores minoritários).   C5 p. 235-238

§         Aula 14: Equações das correntes no transistor (definição do ganho de corrente em emissor comum - β - e do ganho de corrente em base comum - α), modelos de circuitos equivalentes para grandes sinais do transistor npn operando no modo ativo, exercícios.             C5 p. 239-243

§         Aula 15: Análise cc de circuitos com transistores, exercícios selecionados: 5.1, 5.4, 5.5, 5.10. Detalhar Ex. 5.5 com corte e saturação.             C5, p. 246 + 264-269

§         Aula 16: Aula de Exercícios e 2a Prova

§         Para a Prova 3:

§         Aula 17: Estrutura e operação dos transistores de efeito de campo canal n, características tensão-corrente.       C4 p. 141-146

§         Aula 18: Dedução da equação de corrente do MOSFET canal n,  Exemplo 4.1, resistência de saída na saturação, Exemplo 4.1.         C4 p. 146-155

§         Aula 19: Características do MOSFET canal p, efeito de corpo, sumário, exercícios.         C4 p. 155-159

§         Aula 20: Polarização cc. Exemplos 4.2, 4.3, 4.4, 4.5, 4.6 e  4.7 O MOSFET como amplificador e como chave (apenas destacar a curva de transferência)                           C4 p. 160-165

§         Aula 21: O MOSFET como amplificador, modelo equivalente de pequenos sinais, Exemplo 4.10.                  C5 p. 175-184

§         Aula 22   video  : Configurações básicas de estágios amplificadores MOS. Conceituação. Fonte comum e fonte comum com resistência de fonte.            C5 p. 185-193

§         Aula 23: Inversor CMOS, operação do circuito, característica de transferência de tensão, operação dinâmica, corrente e dissipação de potência.             C5 p. 209-216

§         Aula 24: Aula de Exercícios e 3a Prova