Brazilian Conferences and Brazilian Journals (1997)

  1. "PECVD SiO2 sacrificial layers for fabrication of free-standing polysilicon filaments", E. W. Simões, R. Furlan, N. I. Morimoto, O. Bonnaud, A. N. R. da Silva e M. L. P.da Silva, Proceedings - XII Conference of The Brazilian Microelectronics Society, 28 de julho a 01 de agosto de 1997, artigo 42 (CD-ROM).
  2. "Development of an electrochemical sensor based on silicon technology", M. B. A. Fontes, J. J. Santiago-Avilés e R. Furlan, Proceedings - XII Conference of The Brazilian Microelectronics Society, 28 de julho a 01 de agosto de 1997, artigo 53 (CD-ROM).
  3. "Study of anodic bonding between silicon and Pyrex 7740", G. T. Caldas, E. G. Rodriguez e R. Furlan, Proceedings - XII Conference of The Brazilian Microelectronics Society, 28 de julho a 01 de agosto de 1997, artigo 44 (CD-ROM).
  4. "Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido", A. E. B. Marques e R. Furlan, Proceedings - XII Conference of The Brazilian Microelectronics Society, 28 de julho a 01 de agosto de 1997, artigo 43 (CD-ROM).
  5. “Study Of Influence Of “In Situ” Cleaning Process On The Quality Of Pecvd Sio2 / LPCVD Polysilicon Interface”, A. N. R. Da Silva, N. Morimoto, O. Bonnaud, Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 05 (CD-ROM)
  6. “Deposition of Thick TEOS PECVD Silicon Oxide Layer Applied to Integrated Optical Waveguides”, D. A. P. Bulla and N. I. Morimoto, Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 07 (CD-ROM)
  7. “A New Method for Determination of the Fixed Charge Density at the Buried Oxide/Underlying Substrate in Accumulation-Mode P-Channel SOI MOSFETs”, J. A. Martino and M. A. Pavanello, Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 51 (CD-ROM)
  8. “A New SOI MOSFET Structure to reduce the Parasitic Bipolar Effect in SOI MOSFETs”, M. A. Pavanello and J. A. Martino, Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 52 (CD-ROM)
  9. “Influence of the Substrate Effect on the Series Resistance and Effective Channel Length Extraction”, M. A. Pavanello, A. S. Nicolett and J. A. Martino, Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 46 (CD-ROM)
  10. “Components of the Leakage Current in Enhancement-Mode SOI nMOSFETs at High Temperature”, M. Bellodi and J. A. Martino,Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 50 (CD-ROM)
  11. “Influence of the Back Interface Accumulation on the Interface Traps Density Extraction in Thin Film SOI nMOSFET”, V. Sonnenberg e J. A. Martino, Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 45 (CD-ROM)
  12. “Método Simples para Obtenção da Variação da Carga Efetiva no Óxido de um SOI MOSFET em Função da Radiação”, J. Bertini and J. A. Martino , Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 06 (CD-ROM)
  13. “Analysis of the Series Resistance and Effective Channel Langth Extraction of Submicron MOS Transistors Operating at High Temperature”-, A. S. Nicolett, J. A. Martino and E. A. Gutierrez D., Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 48 (CD-ROM)
  14. “Análise da Extração da Resistência Série em Transistores SOI MOSFET de Porta Gêmea”, P.T. Hoashi and  J.A. Martino, Proceedings - XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, 30 de julho a 1 de agosto 1997, Caxambu Minas Gerais, artigo 08 (CD-ROM)
  15. “Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2”, M.C. Valente Lopes, N Gejuiba, S.G. dos Santos Filho, C.M. Hasenack, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, CDROM, Artigo 89.
  16. “Metal and sulfate contamination mechanisms on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings”, S.G. dos Santos Filho and C. M. Hasenack, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, CDROM, Artigo 39.
  17. “Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea”, A.I. Hashimoto and S. G. dos Santos Filho, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, CDROM, Artigo 37.
  18. “Analysis of silicon surface microirregularities by LASER light scattering”, J.C. de Souza Filho and S. G. dos Santos Filho, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, CDROM, Artigo 38.
  19. “Tendências mundiais”, M. L. P. Silva, Boletim da Fundação Vanzolini, mar/abr, 18, 1997
  20. “Produção limpa: uma mudança de paradigma industrial”, E. R. F. Silva, M. L. P. Silva, Seminário: Ciência e Desenvolvimento Sustentável, 179-182, 1997
  21. “PECVD deposition using TEOS and O2: the role of the ion bombardment”, M. L. P. Silva and A. R. Cardoso, XVIII Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, Resumos, ref. 009
  22. “A mass spectrometry study of PETEOS deposition”, M. L. P. Silva and A. N. R. Silva, XVIII Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, Resumos, ref. 043
  23. “Processo de deposição por PECVD: influência dos íons”, A. R. Cardoso and M. L. P. Silva, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, CDROM, Artigo 40.
  24. “Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos”, M. L. P. Silva and A. R. Cardoso, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, CDROM, Artigo 41.
  25. “Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas”, A. N. R. Silva and M. L. P. Silva, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society, CDROM, Artigo 58.
  26. “Electrical characterization of PECVD deposition using TEOS and O2, A. R. Cardoso, XVIII Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência, Resumos, ref. 044
  27. “Silicon Reactive Ion Etching for Micromachining Applications”, R.D. Mansano, P. Verdonck, H.S. Maciel, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society”, Caxambu, julho 1997, artigo 54.
  28. “Plasma Etching of Aluminium Using BCl3-Cl2 mixtures”, A.M. Nakazawa, P. Verdonck, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society”, Caxambu, julho 1997, artigo 56.
  29. “Silicon Surface Roughness Induced by Reactive Ion Etching Processes, Using a Graphite Electrode”, P. Verdonck, R.D. Mansano, H.S. Maciel, XIIConference of the Brazilian Microelectronics Society”, Caxambu, julho 1997, artigo 55.
  30. “Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil”, M. Massi, R.D. Mansano, H.S. Maciel, P. Verdonck, XII Conference of the Brazilian Microelectronics Society”, Caxambu, julho 1997, artigo 57.
  31. “Aplicação de plasmas de baixa freqüência em processos de corrosão de silício e fotorresiste”, M.B. Pisani, R.D. Mansano P. Verdonck, XVIII CBRAVIC, Petrópolis, ref. 051, julho 1997.
  32. “Aluminium Etching with CCl4-N2 plasmas”, A.M. Nakazawa, P. Verdonck, Boletim técnico da Escola Politécnica da USP, BT/PEE/9718 (1997)
  33. “O uso de Resistes Amplificados Quimicamente e de Sililação em Litografia por Feixe de Elétrons”, A.C. Seabra, P.B. Verdonck, J.W. Swart, Boletim técnico da Escola Politécnica da USP, BT/PEE/9719 (1997)
  34. "Estudo da sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados", Angelo Eduardo Battistini Marques e Rogério Furlan, Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP, BT/PEE/9716, ISSN 1413-2206.
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